半导体
半导体长晶炉设备 PPC 解决方案
方案简介
新能源汽车、光伏等领域的迅猛发展导致对第三代半导体需求激增,碳化硅(SiC)衬底市场迎来爆发期,长晶炉作为碳化硅衬底制造的核心制程,需在 2300℃ 高温密闭环境中持续 7 天以上作业,其控制终端普遍采用“触摸屏 + PLC 控制系统”,从而对稳定性、数据采集精度提出较高要求。
其内部的核心控制系统保障着整个工序的进行,面对严苛高温和长时间不间断运行,控制终端的产品设计会综合抗干扰性、接口丰富性、数据传输速度等角度来进行优化迭代,工业级触控平板电脑可支持精准调控、多参数实时反馈的需求,集成在长晶炉的控制柜内,扩展连接多个外部设备进行协作。
案例背景
碳化硅长晶工艺的特殊性主要源于其材料本身的物理化学属性,导致工艺对温度、环境和控制精度的要求远高于传统硅材料。


小结一下碳化硅长晶工艺的三大关键难点——超高温度、严苛环境、极致精度,这些面对碳化硅长晶本身的属性克服问题,对于控制终端是不小的考验。
源控方案
案例用户需要通过工业平板电脑实时监控设备状态,记录生产数据,追溯问题及工艺优化,同时需要具备灵敏的人机交互。因此,在部署于控制终端的触控平板电脑时,需从数据处理运算能力、产品运行的稳定性、EMC 抗干扰性进行全方位考量,给予充分支持。



上一篇:精密激光焊接解决方案
下一篇:半导体测试解决方案



